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Postdocs

PsD-DRT-20-0029

Publié le 7 décembre 2023
PsD-DRT-20-0029
Domaine de rechercheNouveaux paradigmes de calculs, circuits et technologies, dont le quantique

Domaine-SElectronique et microélectronique - Optoélectronique

ThèmeDéfis technologiques

Theme-SSciences pour l’ingénieur

Domaine
Nouveaux paradigmes de calculs, circuits et technologies, dont le quantique Défis technologiques Electronique et microélectronique - Optoélectronique Sciences pour l’ingénieur DRT DCOS S3C LDQC Grenoble
Intitulé de la proposition
Simulation et caractérisation électrique d’un cube logique / mémoire dédié au calcul dans la mémoire
Resumé
Pour répondre à différents enjeux scientifiques et sociétaux, les circuits intégrés de demain doivent gagner en efficacité énergétique. Or, la majorité de leur énergie est aujourd’hui consommée par les transferts de données entre les blocs mémoire et logique dans des architectures circuit de type Von-Neumann. Une solution émergente et disruptive à ce problème consiste à rendre possible des calculs directement dans la mémoire (« In-Memory-Computing »). Les nouvelles technologies de mémoires résistives non-volatiles et de transistors à nanofils de silicium développées au LETI et intégrées en 3D permettraient de proposer pour la première fois une solution technologique performante et viable à un calcul intensif dans la mémoire. Un projet transverse au leti a commencé sur le sujet: de l’application à l’implémentation technologique, en passant par le logiciel et le circuit. Le but est de créer des nano-fonctionnalités en mixant à très faible échelle des dispositifs logiques et mémoires à très grande densité et très grosses capacités. Un accélérateur circuit de In-Memory-Computing sera conçu et fabriqué au LETI, permettant d’améliorer les performances énergétique d’un facteur 20 par rapport à un circuit Von-Neumann de l’état de l’art. Le poste de post-doctorant proposé s’inscrit dans ce projet et vise à simuler et caractériser un CUBE logique/mémoire dédié au "In-Memory-Computing". Le post-doctorant réalisera des caractérisations électriques de transistors et mémoires pour calibrer des modèles et fera des simulations TCAD et spice pour aider au dimensionnement de la technologie et permettre la conception des circuits.
Informations pratiques
Département Composants Silicium (LETI) Service des Composants pour le Calcul et la Connectivité Laboratoire Dispositifs Quantiques et Connectivité
Date début de la proposition01/01/2020
email personne à contacterfrancois.andrieu@cea.fr
Personne à contacter
ANDRIEU François CEA DRT/DCOS/SCME/LICL CEA-leti MINATEC Campus 17 rue des Martyrs 38 054 Grenoble Cedex 9, France 04 38 78 0139

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